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パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター | 論文
- マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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- GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
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- マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路