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ハーバード大学工学応用科学部 | 論文

• 非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価(信号処理,LSI及び一般)
• 非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価(信号処理,LSI及び一般)
• 非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価(信号処理,LSI及び一般)

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