スポンサーリンク
ソニー研 | 論文
- 12a-K-11 Si-SiO-Sinの赤外線吸収
- 6a-L-7 PbTeの誘電率
- SbSIの構造解析(III) : 誘電体
- Wurtzite型CdMnS_2[1] : 磁性 : 化合物
- SbSIの構造解析II : 誘電体
- SbSIの構造解析(I) : 誘電体
- 9p-K-8 X線による転位のcontrastの観察(S_i)
- X線による転位のcontrastの観察(Ge)(X線)
- 14p-K-5 強磁界中のGeの熱い電子
- 強磁界中の熱い電子(II) : 半導体(輸送)
- KTaO_3とSrTiO_3の伝導 : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- 強磁界中のGeの熱い電子 : 半導体 : 不安定性
- 5p-H-3 パルス磁界下でのBiの伝導 1)
- Biの電導現象 (V) : 低温
- Biの電導現象 (IV) : 低温
- Biの伝導現象(II)(低温)
- Biの伝導現象 (II) : 半導体
- 6p-L-6 Biの伝導現象 (I)
- 5)ヘッド材料としてみた金属アモルファス材料の現状と将来(録画研究会(第31回))
- SbSI単結晶製作 : 誘電体