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ソニー中研 | 論文
- 結合量子ドットチェインのモデル解析
- 27p-X-8 結合量子ドットチェインのモデル解析
- 31a-N-14 結合量子ドットのモット局在状態と光学遷移
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- 5a-J-3 正方量子ドット中の赤外吸収における多体効果
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- 3C12 内部全反射(TIR)ラマン分光法による液晶セルの分子配向過程の研究
- 7-16 仮想指標に対するアルツハイマー病患者のDispartiy vergence特性
- 7-15 アルツハイマー病患者の頭部・眼球・手協調運動の分析
- 28p-K-1 パルス強磁場下におけるGaSb/InAsトンネルダイオードの電流電圧特性
- 29p-X-2 パルス強磁場におけるInAs/GaSbトンネルダイオードの負性抵抗と量子輸送現象 III
- 27a-C-4 パレス強磁場におけるInAs/GaSbトンネルダイオードの負性抵抗と量子輸送現象II
- 24p-M-12 パルス強磁場におけるInAs/GaSbトンネルダイオードの負性抵抗と量子輸送現象
- 半導体B(シリコン以外)
- 2p-YJ-9 InGaN多重量子井戸における局在励起子誘導放出
- MBE成長GaAsの表面欠陥と成長条件 : 原子層エピタキシー技術の基礎 : トピカル・シンポジウム
- D. K. Roy著, B. R. Pamplin編: Tunnelling and Negative Resistance Phenomena in Semiconductors, Pergamon Press, Oxford and New York, 1977, 213ページ, 26×18cm, 6,300円.
- ETFヘッドのノイズおよび記録再生特性
- 24-8 固視微動における眼球運動測定法依存性
- 10-18 両眼固視微動ドリフト成分の高次元カオス