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(独)産業技術総合研究所, パワーエレクトロニクス研究センター | 論文

• 極紫外顕微ラマン分光法の開発 : 半導体ナノ表面層の評価
• ラマン散乱分光法によるシリコンのひずみ・応力評価
• CT-1-4 ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と将来(CT-1. サスティナブル社会のための先端デバイス・材料とプロセス技術の現在と未来,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)

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