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(株)東芝LSI基盤技術ラボラトリー | 論文

• ゲート不純物の不完全イオン化とバンドギャップナローウィングがゲートからのトンネル電流に与える影響
• ゲート不純物の不完全イオン化とバンドギャップナローウィングがゲートからのトンネル電流に与える影響

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