Kim Hyang | Cell Process Development Group, Hyundai Display Technology, San 136-1, Ami-ri, Bubal-eup, Ichon-si, Kyungki-do 467-701, Korea

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概要

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• Cell Process Development Group, Hyundai Display Technology, San 136-1, Ami-ri, Bubal-eup, Ichon-si, Kyungki-do 467-701, Koreaの論文著者

論文 | ランダム

• 23pYH-8 Fe 2p内殻軟X線吸収スペクトルによるRbMn[Fe(CN)_6]錯体の相転移現象の観察(光誘起相転移,領域5,領域7合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pPSB-9 CsMn[Fe(CN)_6]錯体のX線照射による相転移現象の観察(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 25aPS-54 XMCDによる光磁性体の元素選択磁化測定(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aQE-9 Cs_Mn[Fe(CN)_6]_錯体のX線吸収分光による温度相転移現象(24aQE 領域5,領域10合同 誘電体・誘電体の光制御・光誘起相転移・磁性体,領域5(光物性))
• 24aQE-8 AM_A[M_B(CN)_6]型強磁性プルシアンブルー類似体における磁化誘起第二高調波発生(24aQE 領域5,領域10合同 誘電体・誘電体の光制御・光誘起相転移・磁性体,領域5(光物性))

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