Sakai Masahiro | Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology, Showa-ku, Gokiso-cho, Nagoya 466-8555, Japan

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Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology, Showa-ku, Gokiso-cho, Nagoya 466-8555, Japan | 論文

• Studies of Electron Beam Evaporated SiO2/AlGaN/GaN Metal–Oxide–Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors

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