堀 寛明 | （財）京都高度技術研究所
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概要
論文 | ランダム
- GaN on Si電子デバイスの開発
- MOCVD法による強誘電体Bi_4Ti_3O_薄膜の配向性に及ぼすBi/Ti組成比とO_2濃度の関係
- 遺伝的アルゴリズムを用いたサンプリングレート変換カーネルの設計法(信号処理及び一般)
- 補間のためのブロック構成を用いたN次多項式に基づくフィルタの設計法(衛星を用いる移動体通信,無線通信一般)
- 補間のためのブロック構成を用いたN次多項式に基づくフィルタの設計法(衛星を用いる移動体通信,無線通信一般)