仁井 真介 | 富士電機システムズ（株）

スポンサーリンク

概要

• 仁井 真介の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 富士電機システムズ（株）の論文著者

富士電機システムズ（株） | 論文

• Micro-P構造適用による600V IGBTの高性能化
• Micro-P 構造適用による600V IGBTの高性能化
• リードフレーム構造を備えた薄ウェハIGBTの特性改善
• 次世代IPM用600V低損失 Micro-P 構造IGBT
• 1200V系トレンチゲート型フィールドストップIGBTの短絡特性の解析

もっと見る

スポンサーリンク