枡井 真吾 | 日亜化学工業(株) 第二部門 開発本部 第三開発部
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概要
日亜化学工業(株) 第二部門 開発本部 第三開発部 | 論文
- 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- c面GaN基板上可視光半導体レーザーの開発
- ディスプレイ向け青色窒化物半導体レーザー
- 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)