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Inoue Naohisa | Frontier Science Innovation Center, Osaka Prefecture University, Sakai 599-8570, Japan
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Frontier Science Innovation Center, Osaka Prefecture University, Sakai 599-8570, Japanの論文著者
Frontier Science Innovation Center, Osaka Prefecture University, Sakai 599-8570, Japan | 論文
Electroluminescence of In0.53Ga0.47As0.99N0.01/GaAs0.5Sb0.5 Type-II Quantum Well Light-Emitting Diodes Grown on InP Substrates by Molecular Beam Epitaxy
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