Arai Shigehisa | Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-S9-5 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan

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概要

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• Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-S9-5 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japanの論文著者

Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-S9-5 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan | 論文

• Direct Wafer Bonding of GaInAsP/InP Membrane Structure on Silicon-on-Insulator Substrate

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