Kato Atsushi | Tokyo Institute of Technology, Department of Physical Electronics, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

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概要

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Tokyo Institute of Technology, Department of Physical Electronics, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan | 論文

• Erratum: “InP/InGaAs Composite Metal--Oxide--Semiconductor Field-Effect Transistors with Regrown Source and Al2O3 Gate Dielectric Exhibiting Maximum Drain Current Exceeding 1.3 mA/μm”

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