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Nakashima Hisao | Optoelectronics Joint Research Laboratory, 1333 Kamikodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki 211
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Optoelectronics Joint Research Laboratory, 1333 Kamikodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki 211の論文著者
Optoelectronics Joint Research Laboratory, 1333 Kamikodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki 211 | 論文
Schottky Interface Formation between LaB6 and GaAs(001) Covered with a Native-Oxide Layer
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