TAKAHASHI Daisuke | Department of Applied Mathematics and Informatics, Faculty of Science and Technology, Ryukoku University
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概要
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論文 | ランダム
- 原子力エレクトロニクスの新展開 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- イオンビ-ム合成法によるSiGe/Si,SiGeC/Siの作成とその表面バンドエンジニアリングの可能性 (表面エレクトロニクスに関する調査報告) -- (表面改質と微細加工)
- 遷移金属炭化物・窒化物薄膜へのイオン照射・注入効果 (活性粒子による新表層材料創製の研究)
- 高電流密度・低エミッタンスイオン・ビ-ム源
- イオン照射を受けたNbCの欠陥構造と超伝導性