鶴成 哲也 | パナソニック株式会社デバイス社
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概要
パナソニック株式会社デバイス社 | 論文
- 3-3 GaNパワーデバイスの進展と展望(3.パワーエレクトロニクスの最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- 2P3-3 SiO_2/Al/LiNbO_3基板における速い横波近傍に発生する不要応答に関する検討(ポスターセッション)
- 2P-27 SiO_2/Al/LiNbO_3構造を用いた良好な温度特性を有するSAW共振器の開発(ポスターセッション)
- 1P5-1 SiO_2/Al/LiNbO_3構造を用いたBand IV用小型SAW デュプレクサの開発(ポスターセッション)
- 1-06P-37 SiO_2/IDT/LiNbO_3構造を用いた小型W-CDMA用SAWデュプレクサの開発(ポスターセッション 1)