Koo Jaehyoung | R&D Division, Hynix Semiconductor Inc., San 136-1, Ami-ri, Bubal-eub, Icheon-si, Kyoungki-do 467-701, Korea

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R&D Division, Hynix Semiconductor Inc., San 136-1, Ami-ri, Bubal-eub, Icheon-si, Kyoungki-do 467-701, Korea | 論文

• Incorporation Effect of Thin Al2O3 Layers on ZrO2–Al2O3 Nanolaminates in a Composite Oxide–High-$\kappa$-Oxide Stack for Floating-Gate Flash Memory Devices

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