庭野 道夫 | 戦略的基礎研究推進事業(CREST)

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概要

• 同名の論文著者
• 戦略的基礎研究推進事業(CREST)の論文著者

関連著者

• 小川 賢

  東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設

• 木村 康男

  戦略的基礎研究推進事業(CREST)

• 庭野 道夫

  戦略的基礎研究推進事業(CREST)

• 庭野 道夫

  東北大学大学院医工学研究科

• 庭野 道夫

  東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設

• 木村 康男

  東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設

• 石井 久夫

  千葉大学先進科学研究教育センター

• 石井 久夫

  東北大・通研

• 大場 朋央

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 石井 久夫

  戦略的基礎研究推進事業(CREST)

• Kimura Yasuo

  Department Of Biological And Environmental Chemistry Tottori University

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著作論文

• 変位電流評価法で評価したPentacene FETのAmbipolar特性 : 電荷注入特性に依存したFETのチャネルタイプ(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• ルブレン単結晶FETの動作特性に及ぼすソース・ドレイン電極の影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
• ルブレン単結晶FETの動作特性に及ぼすソース・ドレイン電極の影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
• ルブレン単結晶FETの動作特性に及ぼすソース・ドレイン電極の影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
• 変位電流評価法で評価したPentacene FETのAmbipolar特性 : 電荷注入特性に依存したFETのチャネルタイプ(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• 変位電流評価法で評価したPentacene FETのAmbipolar特性 : 電荷注入特性に依存したFETのチャネルタイプ(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

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