Pristovsek Markus | Technische Universität Berlin, EW 6-1, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
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概要
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- 同名の論文著者
- Technische Universität Berlin, EW 6-1, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germanyの論文著者
関連著者
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Kneissl Michael
Technische Universität Berlin, EW 6-1, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
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Pristovsek Markus
Technische Universität Berlin, EW 6-1, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
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Kremzow Raimund
Technische Universität Berlin, EW 6-1, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstra{\ss}e 36, 10623 Berlin, Germany
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Ivaldi Francesco
Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
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Meissner Christian
Technische Universität Berlin, EW 6-1, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
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Domagala Jaroslaw
Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
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Kret S$ŀ$awomir
Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
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Pristovsek Markus
Technische Universität Berlin, EW 6-1, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
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Högele Michael
Technische Universität Berlin, EW 6-1, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
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Domagala Jaros$ŀ$aw
Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
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Meissner Christian
Technische Universität Berlin, EW 6-1, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
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Ivaldi Francesco
Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
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Pristovsek Markus
Technische Universität Berlin, EW 6-1, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstra{\ss}e 36, 10623 Berlin, Germany
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Kneissl Michael
Technische Universität Berlin, EW 6-1, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstra{\ss}e 36, 10623 Berlin, Germany
著作論文
- Influence of a GaN Cap Layer on the Morphology and the Physical Properties of Embedded Self-Organized InN Quantum Dots on GaN(0001) Grown by Metal--Organic Vapour Phase Epitaxy
- Energetics of Quantum Dot Formation and Relaxation of InGaAs on GaAs(001)
- Energetics of Quantum Dot Formation and Relaxation of InGaAs on GaAs(001)