Hwang Yun | R&D Division, Hynix Semiconductor Inc., Ichon P. O. Box 1010, Ichon, Kyoungki-do 467-701, Korea

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概要

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R&D Division, Hynix Semiconductor Inc., Ichon P. O. Box 1010, Ichon, Kyoungki-do 467-701, Korea | 論文

• Dependence of Gate Interfacial Resistance on the Formation of Insulative Boron–Nitride for p-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor in Tungsten Dual Polygate Memory Devices

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