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Rieger W. | Ferdinand Braun Institute fur Hochstfrequenztechnik, Rudower Chaussee
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Ferdinand Braun Institute fur Hochstfrequenztechnik, Rudower Chausseeの論文著者
Ferdinand Braun Institute fur Hochstfrequenztechnik, Rudower Chaussee | 論文
Comparison of N-face and Ga-face AlGaN/GaN-Based High Electron Mobility Transistors Grown by Plasma-Induced Molecular Beam Epitaxy
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