Chen Si-wei | School of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology:Environmental Studies, Tohoku University

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概要

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• School of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology:Environmental Studies, Tohoku Universityの論文著者

論文 | ランダム

• 1a-B-7 p-GeSi合金のサイクロトロン共鳴とHall移動度
• 2p-F-4 Ge/Si合金系の価電子帯構造と正孔の移動度
• 1a-Pβ-36 非極性半導体における正孔の移動度
• 30a-S-8 非極性半導体の正孔の状態密度と有効質量比
• 30a-S-7 非極性半導体の正孔の散乱と移動度

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