細川 史生 | 日本電子:JST-CREST
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概要
日本電子:JST-CREST | 論文
- 23pGP-5 電子線非照射下のガス導入による金ナノ粒子/ルチルの構造変化の観察(23pGP ナノ構造・局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYG-6 球面収差補正TEM法によるグラフェン単原子直接観察(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pRE-9 収差補正TEM/STEMを用いたLa_2O_3/Si界面ラフネスの精密解析(27pRE X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25aYH-3 HRTEMおよびHAADF-STEMによるβ-FeSi_2ナノドットの微細構造評価(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYH-4 球面収差補正TEM及びEELSによるグラフェン観察(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))