伊藤 正紀 | 沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
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概要
沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー | 論文
- 40Gb/s光通信用ダブルリセス構造0.1μmゲートInP-HEMT
- C-2-35 2GHz帯200W級高利得GaN-HEMTの開発(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)