Kurobe Jun | Steel & Technology Development Laboratories, Nisshin Steel Co., Ltd.
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概要
論文 | ランダム
- シリコン(100)及び(110)面上CMOSFETのひずみによる高電界キャリア速度変調
- 歪み技術による (100) および (110) トランジスタの性能向上戦略
- High-k及びSiO_2ゲート絶縁膜を有するMOSFETにおける低電界移動度と高電界キャリア速度の関係(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- High-k 及びSiO_2ゲート絶縁膜を有するMOSFETにおける低電界移動度と高電界キャリア速度の関係
- リエージェントレスリン酸センサ