Sato Shin-ichiro | Japan Atomic Energy Research Agency, 1233 Watanuki, Takasaki, Gunnma 370-1292, Japan

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Japan Atomic Energy Research Agency, 1233 Watanuki, Takasaki, Gunnma 370-1292, Japan | 論文

• Effect of Base Doping Concentration on Radiation-Resistance for GaAs Sub-Cells in InGaP/GaAs/Ge

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