Ikeda Hironobu | Neutron Science Laboratory,High Energy Accelerator Research Organization (KEK)
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概要
論文 | ランダム
- 29p-H-10 1.5nmゲート酸化膜MOSFETの高周波特性
- メタライズ技術
- 28a-PB-20 13V耐圧を持つ0.35μmSiパワーMOSFET
- 27a-E-11 S^4D (Silicided Silicon-Sidewall Source and Drain)構造を用いたPMOS検討
- 27a-E-6 エピチャネルMOSFETのエピSi/Si基板界面の酸素の影響