ASAO Yoshiaki | IBM Semiconductor Research and Development Center, Hopewell Junction

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概要

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• IBM Semiconductor Research and Development Center, Hopewell Junctionの論文著者

IBM Semiconductor Research and Development Center, Hopewell Junction | 論文

• A 286 mm^2 256 Mb DRAM with ×32Both-Ends DQ
• Fault-Tolerant Designs for 256 Mb DRAM

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