高橋 光恵 | 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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概要
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門 | 論文
- 軽元素ドープしたNi_3Alの電子状態
- 27pEM-11 価数スキップ・引力アンダーソンモデルにおける超伝導と電荷近藤効果(27pEM 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- CO+NH_3を用いたエッチングにより形成したTMR素子
- 有機半導体レーザー材料チオフェン・フェニレン・コオリゴマー薄膜における強励起効果
- 有機半導体レーザー材料チオフェン・フェニレン・コオリゴマー薄膜における強励起効果(有機超薄膜と有機デバイス, 一般)