田邉 真一 | NTT物性科学基礎研究

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概要

• 同名の論文著者
• NTT物性科学基礎研究の論文著者

NTT物性科学基礎研究 | 論文

• 25pCJ-4 SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンにおける最小電気伝導度とN=0ランダウレベルにおける挙動(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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