松澤 一也 | (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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概要
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー | 論文
- (Ba, Sr) TiO_3膜の物理 : 第一原理計算と実験
- 6p-F-6 BaTiO_3薄膜に対する面内圧縮効果の第一原理計算による研究
- FeRAMの現状と将来技術
- LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi_2挿入による界面電気特性改善効果の実証(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))