鈴木 剛 | 東大理
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概要
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金 昌秀
東大物性研
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芝沼 隆太
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West K.W.
プリンストン大
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Pfeiffer L.N
プリンストン大
著作論文
- 22pPSB-18 磁場によるSiの1s励起子のエネルギーシフトの観測(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- 25aRC-10 高密度光励起下におけるGaAs励起子のテラヘルツ分光(25aRC 非線形光学/高密度励起,領域5(光物性))
- 20aHL-2 Siにおける高密度光励起電子正孔系の冷却ダイナミクスの観測(20aHL 高密度励起現象,領域5(光物性))
- 25pXB-5 Siにおける励起子・電子正孔液滴形成ダイナミクスの温度依存性(高密度励起,領域5,光物性)
- 27aVA-2 テラヘルツ分光法によるSi電子正孔系のクーロン遮蔽効果と相転移ダイナミクスの観測(27aVA 高密度励起現象,領域5(光物性))
- 22pYH-2 THz時間領域ポンププローブ分光法によるSiの励起子・電子正孔液滴形成ダイナミクスの観測(22pYH 高密度励起現象・励起子,領域5(光物性))
- 25aHA-10 テラヘルツ分光法による磁場下Si励起子の微細構造の観測(25aHA 顕微・近接場分光/高密度励起現象,領域5(光物性))
- 25aHA-11 バルクGaAsにおける励起子モット転移(25aHA 顕微・近接場分光/高密度励起現象,領域5(光物性))
- 24aTL-9 一軸性圧力下におけるSiの励起子及び電子正孔液滴の発光観測(24aTL 非線形光学・高密度励起,領域5(光物性))
- 24aTL-8 一軸性圧力下におけるSi高密度電子正孔系のテラヘルツ分光(24aTL 非線形光学・高密度励起,領域5(光物性))
- 24aTL-7 テラヘルツ分光法によるSiの励起子微細構造の磁場依存性の観測(24aTL 非線形光学・高密度励起,領域5(光物性))
- 27aBL-10 Siの励起子モットクロスーバーにおける励起子 : プラズモン相互作用(27aBL 非線形工学・高密度現象,領域5(光物性))
- 27aBL-9 Geにおける高密度電子正孔系のテラヘルツ分光(27aBL 非線形工学・高密度現象,領域5(光物性))
- 24pPSA-57 光励起-テラヘルツプローブ法によるSiの励起子寿命測定(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21aFJ-8 高圧低温強磁場下におけるSiの高密度電子正孔系の光ポンプテラヘルツプローブ分光(21aFJ 誘電体・低次元物質・高密度励起現象,領域5(光物性))
- 21aFJ-7 近赤外光ポンプ-テラヘルツプローブ分光法によるGeの励起子内部遷移の観測(21aFJ 誘電体・低次元物質・高密度励起現象,領域5(光物性))
- 27aEJ-4 テラヘルツ分光法によるSiにおける励起子モットクロスオーバーの観測と相図の決定(27aEJ 非線形光学,励起子・ポラトリン,領域5(光物性))
- 26pPSB-41 バルクGaAs励起子のテラヘルツ分光(領域5ポスターセッション(放射光,光電子分光,発光,非線形,フォトニック結晶),領域5(光物性))