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Yoon Doo-hyeb | Optoelectronic Materials Team Telecommunications Basic Research Institute Electronics And Telecommun
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Optoelectronic Materials Team Telecommunications Basic Research Institute Electronics And Telecommunの論文著者
Optoelectronic Materials Team Telecommunications Basic Research Institute Electronics And Telecommun | 論文
Reduction of Threading Dislocations in InGaN/GaN Double Heterostructure through the Introduction of Low-Temperature GaN Intermediate Layer
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