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Lee Jong-lam | Institute Of Materials Science University Of Tsukuba:electronics And Telecommunications Research Ins
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Institute Of Materials Science University Of Tsukuba:electronics And Telecommunications Research Insの論文著者
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba:electronics And Telecommunications Research Ins | 論文
Reduction of Dislocation Density in Impurity-Doped GaAs Grown on Si Substrate by Molecular Beam Epitaxy
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