石原 直 | 日本電信電話株式会社物性科学基礎研究所
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概要
日本電信電話株式会社物性科学基礎研究所 | 論文
- 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 自己組織化によるSiナノ構造のウェ-ハスケ-ル制御
- 表面・界面歪の制御によるナノ構造の自己組織化
- 2次元フォトニック結晶共振器のモード分布を用いた理論Q値の算出(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)