大江 昌人 | (株)日立製作所 日立研究所 電子デバイス事業部

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著作論文

• 1G506 ネマチック液晶の低周波におけるしきい値電圧降下の要因
• 3D03 低周波数領域におけるしきい値電圧と液晶内の電荷輸送及び界面分極の関係
• 8)インプレーンスイッチングTFT-LCDの電気光学特性多解析-IPS TFT-LCDのデバイスシミュレーション-(情報ディスプレイ研究会)
• インプレーンスイッチングTFT-LCDの電気光学特性解析 : IPS TFT-LCDのデバイスシミュレーション
• インプレーンスイッチングTFT-LCDの電気光学特性解析 : IPS TFT-LCDのデバイスシミュレーション
• インプレーンスイッチングTFT-LCDの電気光学特性解析 : IPS TFT-LCDのデバイスシミュレーション
• 2AA08 In-Plane Switching方式における液晶の電圧保持特性
• 2AA07 IPS TFT-LCDの特性解析 : シミュレーションによる電極構造とチルト角の検討
• インプレ-ンスイッチングモ-ドを用いたTFT-LCD
• SC-8-4 IPS TFT-LCDにおけるセルギャップマージン拡大技術
• インプレーンスイッチングTFT-LCDにおける弱アンカリング効果 : セルギャップマージン拡大方法への応用
• インプレーンスイッチングTFT-LCDにおける弱アンカリング効果 : セルギャップマージン拡大方法への応用
• 2C14 IPS TFT-LCDの特性解析 : セルギャップマージン拡大方法の検討
• ネマチック液晶のインプレーンスイッチング電気光学効果
• 3-5b In-Plane Switching方式におけるセルギャップマージン解析
• 3A14 In-Plane Switching方式における液晶のスイッチング原理

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