西田 昌彦 | 金沢工大
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概要
関連著者
著作論文
- 4p-K-12 分子軌道法による半導体表面の電子状態 III
- 6a-B-13 分子軌道法による半導体表面の電子状態 II
- 7a-U-9 分子軌道法による半導体表面の電子状態
- 27a-Y-6 GaAS(1^^-1^^-1^^-)2×2再構成面の原子構造と電子構造
- J. C. Slater著, 菅野 暁・足立裕彦・塚田 捷訳: スレーター分子軌道計算, 東京大学出版会, 東京, 1982, viii+178ページ, 21×15cm, 2,000円.
- 30p-A-8 GaAs(1^^-1^^-1^^-)2×2再構成面の原子構造と電子構造
- 2a-NM-7 GaAs(111)再構成面の原子構造と電子構造に関する考察
- 30p-J-8 Ge-GaAs(111)超格子とヘテロ接合界面の電子状態
- 4a-E-12 III-V族半導体の(110)表面上の格子欠陥とその電子状態
- 30a-U-6 GaSb(110)表面上の点欠陥による電子状態
- 12.半導体表面の電子状態に対する表面緩和効果(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
- 2p-Q-8 III-V族化合物半導体の(111)清浄表面の電子状態 : そのエネルギー分布と化合物依存性
- 31a KA-4 Si(111)表面に吸着したIII族原子の電子状態
- 3p-AC-8 Si(111)表面へのAlの吸着に対する分子軌道計算
- 31p-CA-8 化合物半導体表面の電子状態 II
- 11a-R-6 化合物半導体表面の電子状態