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中川 明夫 | (株)東芝 セミコンダクター社
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中川 明夫
(株)東芝 セミコンダクター社
中川 明夫
(株)東芝
著作論文
IGBTとMOSFETのシリコン限界特性とその実現に向けた考察
高効率コンバータ用シリコンパワーデバイスの限界特性と開発動向 (マテリアルフォーカス:エネルギー 2ヶ月連続特集 コスト-発電効率-熱的信頼性 「IGBI」,「MOSFET」 パワーデバイスのトレンド(各種マテリアル編))
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