李 承勲 | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

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概要

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• 同名の論文著者
• 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センターの論文著者

東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター | 論文

• HfO_2薄膜成長過程の分光エリプソメトリによるその場観察と第一原理計算との比較(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 26aXG-4 シリコン結合量子ドットの電子輸送特性評価(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21世紀の単電子デバイス
• 電子材料-ナノシリコンとネオシリコン
• ULSI技術は電気化学の時代

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