斎藤 晋 | 日本電気 基礎研
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概要
日本電気 基礎研 | 論文
- 28a-D-7 AlAs中のSiの局在振動モード
- 24p-M-1 GaAs中の1ML-AlAsに局在したTOフォノン
- 5a-D-10 A1GaAsの中のA1の赤外吸収局在振動モード
- 超格子構造と選択的な不純物ド-ピングによって化合物半導体の電子密度を上げる--HEMTや発光ダイオ-ドなど化合物半導体デバイスの性能が上がる
- AlGaAs-GaAs超格子の浅い不純物準位とDXセンタ- (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の電子状態)