奥村 直幸 | 東北大金研

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概要

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著作論文

• 26pRK-4 STM/STSによるPb置換Bi2201の磁場中局所電子状態の観察(高温超伝導(光電子分光,トンネル分光,光学応答など),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 28aVL-9 Pb置換Bi2201の磁場中STM/STS(28aVL 高温超伝導2(光電子分光・トンネル分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20pQE-11 STM/STSによるPb置換Bi2201の局所電子状態観察(20pQE 高温超伝導(置換効果・不純物効果),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 面内電気抵抗測定によるPb置換Bi2Sr2CuO6+δの渦糸状態の研究 (強磁場超伝導の研究--高温超伝導体)
• 23aPS-98 Pb置換Bi2201単結晶における変調構造のPb量依存性と渦糸状態(23aPS 領域8ポスターセッション(低温I(鉄系超伝導,銅酸化物など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20pQE-10 キセノンプラズマ発光ARPESによるPb置換Bi2201の擬ギャップ(20pQE 高温超伝導(置換効果・不純物効果),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26aRH-4 キセノンプラズマ発光ARPESによるBi2201の超伝導ギャップと擬ギャップ(26aRH 高温超伝導(擬ギャップと超伝導ギャップ),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• Pb置換Bi2Sr2CuO6+δ単結晶のホール係数測定によるキャリア濃度の決定 (強磁場超伝導の研究--高温超伝導体)
• 24aWG-7 Pb置換Bi2201における低バイアスSTM像のキャリア濃度依存性(高温超伝導(ARPES(II),ラマン散乱,トンネル分光),領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 24aWG-2 キセノンプラズマ発光によるBi2201のバルク敏感超高分解能光電子分光(高温超伝導(ARPES(II),ラマン散乱,トンネル分光),領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 18pWP-6 Pb置換Bi2201の低バイアスSTM(18pWP 高温超伝導(STM,ラマン散乱,光学応答),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24aPS-19 PbドープBi2201のホール効果と磁場中電気抵抗(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pZQ-6 変調構造を持たないPbドープBi2201のSTM測定(25pZQ 高温超伝導(トンネル分光),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pZQ-5 Pbドープ量を変化させたBi2201の変調構造のSTM観測と超伝導特性(25pZQ 高温超伝導(トンネル分光),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))

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