Kim S‐g | Srami Team Memory Division Samsung Electronics Co. Ltd.

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概要

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• Srami Team Memory Division Samsung Electronics Co. Ltd.の論文著者

Srami Team Memory Division Samsung Electronics Co. Ltd. | 論文

• Characteristics of Cell Latch and Leakage Current at Standby State in 6-T Low-Power Static Random Access Memory (SRAM) Device

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