吉田 実 | 東理大理
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概要
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著作論文
- 1a-M-5 Si結晶中のintrinsic divacancyの電子状態
- 5a-DQ-12 アルミニウムの加工直後の電気抵抗の異常回復
- 11p-P-4 アルミニウムの急冷途上における抵抗変化I
- MOS容量の時間応答の解析
- ガ-ドリング付MOS容量の時間応答によるキャリヤ発生率の測定
- 真空中及びCd蒸気中で加熱したα-AgCd多結晶の急冷空孔 : 格子欠陥
- 6a-P-4 α黄銅の焼入空孔について
- 29p-FA-3 Siの空孔による格子緩和(29p FA 格子欠陥)
- 3a-A3-10 Si結晶中のIntrinsic Vacancyの電子状態(3a A3 格子欠陥,格子欠陥)