井上 正一 | 東芝総研

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  東芝総研・電子部品研究所

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著作論文

• InSb単結晶引上げにおける双晶発生の抑制
• 2-2 イメージインテンシファイア付きカルニコンの撮像特性
• 高品質In Sb単結晶の成長 : III-V族化合物半導体など
• Nonstoichiometryの融液から引き上げたInSb

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