四戸 孝 | (株)東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

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著作論文

• SiCパワー半導体デバイスの開発動向 (特集:次世代半導体デバイスとしてのSiC単結晶を用いたオプトメカトロニクス技術)
• SiCパワーデバイス技術

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