中山 正昭 | 関学大・理

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著作論文

• 29a-H-9 MBE法による半導体薄膜の格子変形と界面欠陥
• 28a-A-19 PLによるInGaAs/InAlAs単一量子井戸におけるバンド不連続
• 28a-A-16 InGaAs/InAlAs多重量子井戸のフォトルミネッセンス
• 13p-E-11 GaAs/AlAs超格子のZnによるDiffusion
• 29a-FC-4 C-V法によるInGaAs/GaAsのバンド不連続(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))

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