馬来 国弼 | 横浜市大文理
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概要
関連著者
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馬来 国弼
横浜市大文理
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馬来 国弼
横浜市大
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重田 諭吉
横浜市大文理
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重田 論吉
横浜市大文理
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重田 論吉
横浜市大 総合理:横浜市大 文理
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馬来 国弼
横浜市立大学理学部・大学院総合理学研究科
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黒田 登志雄
北大低温研
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黒田 登志雄
北大・低温研
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重田 諭吉
横浜市大 大学院総合理学研究科
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松本 勘一
横浜市大 大学院総合理学研究科
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宮本 憲一
横浜市大文理
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松本 勘一
横浜市大大学院総合理学
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柳下 浩二
日本真空(株)計器事業部
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黒田 登志雄
北海道大学低温科学研究所
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佐々木 隆
横浜市大文理
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金子 幸代
横浜市大文理
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市野 信幸
横浜市大文理
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馬来 国弼
横浜市立大文理
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西郷 洋一
横浜市大文理
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汐月 啓子
横浜市大文理
著作論文
- 25p-PS-53 Si(111)超格子表面上のSi薄膜の表面構造形成 II : 成長条件と表面構造
- 29aB11 有機物質の真空蒸発過程における蒸気圧測定(有機結晶II)
- 25a-B-9 Si(111)超格子表面上のホモエピタキシャル成長
- 4a-PS-33 Si(111)超格子表面上のSi薄膜の表面構造形成
- 30p-TA-3 Si(111)-7×7表面上のa-Si極薄膜のLEED
- 5a-T-5 固相エピタキシーにおけるSi表面の構造変化 : 下地からの方位近接効果
- 4a-B4-1 固相エピタキシーにおけるSi表面の構造変化III
- 真空蒸発法による高分子薄膜の成長
- 28a-J-7 アモルファス半導体膜の構造形成
- 3p-WA-5 アモルファスSb蒸着膜の結晶化過程
- 5p-E-2 低速電子線の表面波共鳴とエネルギー損失スペクトル:Si(O01)
- 3a-P-8 アモルファスSb蒸着膜における六角板状結晶の生成条件III
- 3p-RJ-7 低速電子線の表面波共鳴と表面プラズマ:Si(111)
- 1a-KD-1 アモルファスSb蒸着膜における六角板状結晶の生成条件
- 11p-A-13 超周期構造に関連した低速電子線励起による表面プラズマの分散測定
- 12a-N-7 アモルファスSb蒸着膜の成長過程における密度変化と結晶化
- 27a-Y-1 Si(111)面における低エネルギー電子の回折条件とELS
- 2a-E-6 低エネルギー電子損失スペクトルにおける表面波共鳴 III
- 2p-B-9 室温より低温で蒸着したアモルファスSb膜の結晶化
- 30p-M-9 低エネルギー電子損失スペクトルにおける表面波共鳴II
- 4a-NR-10 低エネルギー電子損失スペクトルにおける表面波共鳴
- 1a-BA-3 Ge,GeO_x 膜下地上のSb膜の成長
- 10p-E-3 SiO_x膜下地表面の違いによる非晶質Sb膜の結晶化膜厚の変化
- 8a-H-4 非晶質蒸着膜の結晶化膜厚
- 30p-H-8 固相エピタキシーにおけるSi表面の構造変化(表面・界面)
- 28a-TJ-3 固相エピタキシーにおけるSi表面の構造変化 IV(28aTJ 表面・界面)
- 30a-CB-7 Fe蒸着膜表面における酸化物の成長(30a CB 結晶成長)
- 3a-F4-4 固相エピタキシーにおけるSi表面の構造変化 II(表面・界面)