高見 剛史 | 東大新領域
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概要
関連著者
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本林 健太
東大新領域
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高見 剛史
東大新領域
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岡田 智成
東大新領域
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金 有洙
理研
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川合 真紀
東大新領域
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川合 真紀
東大工:東大新領域:理研
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川合 眞紀
東大新領域:理研
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金 有洙
理化学研究所
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金 有洙
理化学研究所表面化学研究室
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金 有洙
独立行政法人理化学研究所基幹研究所
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本林 健太
東大新領域:理研
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高見 剛史
東大新領域:理研
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岡田 智成
東大新領域:理研
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小原 通昭
東大新領域:理研
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川合 真紀
東京大学工学部応用化学科:東京大学新領域創成科学研究科
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小原 通昭
東大新領域
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小原 道昭
東大新領域
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筑波大数物
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小林 伸彦
筑波大学物理工学系
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本林 健太
理研
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岡田 智成
筑波大数物
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高見 剛史
理研
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川合 眞紀
東大新領域
著作論文
- 20pGL-3 STMを用いたCu(111)上の(CH_3S)_2の解離反応のメカニズム解析(20pGL 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aYH-4 Cu(111)表面に吸着した(CH_3S)_2の選択的分解反応のメカニズム(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pPSA-20 Pt(111)表面上のナノグラフェンの電子状態(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pTA-4 Pt(111)表面上における水素化グラフェンの構造と電子状態(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))