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村上 博成 | 九州大学理学部物理学教室
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村上 博成
九州大学理学部物理学教室
著作論文
11.narrow gap半導体PbTe(Tl)エピタキシャル成長単結晶薄膜のキャリヤー特性についての実験的研究(九州大学理学部物理学教室,修士論文アブストラクト(1985年度)その2)
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